在掃描電子顯微鏡（SEM）中，非導(dǎo)電樣品（如聚合物、陶瓷、生物材料等）容易出現(xiàn)充電效應(yīng)，導(dǎo)致圖像發(fā)亮、偏移、拉伸、失真甚至無(wú)法成像。以下是有效的避免或減弱充電效應(yīng)的方法：

一、樣品預(yù)處理方式

金屬噴鍍導(dǎo)電層

使用金、鉑、鈀、碳等材料對(duì)樣品進(jìn)行 離子濺射鍍膜，形成薄而連續(xù)的導(dǎo)電膜層（通常幾納米厚）。

優(yōu)點(diǎn)：有效導(dǎo)電、成像質(zhì)量好。

注意：會(huì)覆蓋表面細(xì)節(jié)，不適用于需要表面成分分析（如EDS）場(chǎng)合。

使用導(dǎo)電膠固定樣品

將樣品用 導(dǎo)電碳膠 或 銅膠帶 粘接于樣品臺(tái)，并連接到接地端，形成良好的電子通路。

樣品表面碳涂層

使用碳蒸發(fā)或碳噴鍍方式生成薄導(dǎo)電層，適用于能譜分析需求（如EDS不希望引入金屬背景）。

二、成像參數(shù)優(yōu)化

降低加速電壓（1–5 kV）

減少入射電子的穿透深度和表面電荷積累，低電壓成像能顯著減輕充電問(wèn)題。

使用低束流（低探針電流）

減少單位時(shí)間內(nèi)注入樣品的電子數(shù)量，降低電荷積累速度。

切換到環(huán)境掃描電鏡（ESEM）或低真空模式

在樣品腔內(nèi)引入少量水汽或氣體，通過(guò)氣體分子的電離效應(yīng)中和樣品表面電荷。

優(yōu)點(diǎn)：無(wú)需金屬鍍膜，保留原始樣品形貌。

三、其他方法

斜角成像或減小入射角：可以減少束斑集中在非導(dǎo)電面。

圖像平均或積分掃描：減輕圖像漂移帶來(lái)的失真。

選擇適當(dāng)?shù)奶綔y(cè)器：使用后散射電子（BSE）成像有時(shí)比次級(jí)電子（SE）對(duì)充電更敏感，可互相補(bǔ)充判斷。